?下述是幾種納米導電粉的介紹：
導電納米ATO復合粉
　　納米級摻銻氧化錫ATO (Antimony Doped TinOxide)是一種n型半導體材料，它集中ATO材料和納米材料的優點，是一種新型的多功能透明導電材料。 由于薄膜材料在小型化、集成化等方面的廣泛應用，納米級ATO透明導電薄膜材料與傳統的透明導電材料(如云母等)相比具有明顯優勢。

　　首先，ATO薄膜在可見光范圍內，既具有高的光透射，又顯示出準金屬特性的良好導電性能，其良好的電性歸因于Sb2O3 摻雜，使SnO2 半導化。 同時，ATO膜還具有良好的減反射性、抗輻射及紅外吸收功能等。 其次， ATO 透明導電薄膜具有良好的化學穩定性、熱穩定性、抗腐蝕性和耐候性，并且ATO膜和基材粘附性好、機械強度高。 傳統的透明導電薄膜大多采用有機添加物，在實際應用中易老化，強度較差，容易喪失抗靜電功能，且受使用環境的約束。 相反， ATO 膜不受氣侯和使用環境的限制。 第三，納米ATO材料有明顯的表面效應、體積效應和量子效應，因此它具有許多體相材料和微米材料所不具備的獨特物化性能。

　　利用其納米化所具有的高電導率、特異的藍色調等特性，使ATO材料具有更加廣泛的應用領域，如在顯像管或顯示屏上涂一層納米級ATO透明導電薄膜材料，可有效防止電視機或顯示器靜電、眩光與輻射。以SnCl4·5H2O和SbCl3 為原料，采用共沉淀法制得納米級的SnO2 超細粉。 運用差示掃描熱法2失重分析(DSC2TG) 、X 射線衍射(XRD) 、透射電鏡( TEM)和紫外可見光光譜分析(UV)等觀測手段對微粉末進行了表征，比較系統地研究了熱處理工藝(溫度、時間)對粉末顆粒度和電阻的影響規律，探討了摻銻SnO2 導電粉的顯色特性。 介紹了ATO透明導電薄膜材料的特點及3防機理，并綜合了3防ATO透明導電薄膜的研制現狀和應用情況，系統地研究了共沉淀溫度和pH值對粉末顆粒度和電阻的影響規律。采用非均相成核法，在Sn (OH) 4 晶種上均勻生長Sb摻雜Sn (OH) 4 制備納米ATO粉末。XRD測試結果顯示，制得的納米ATO粉體為四方金紅石型結構，平均粒徑為15 nm，當Sb /Sn (mol比) = 0。 05， pH = 2， T = 60 ℃， SnCl4 =1。 2 - 1。 8 mol·L - 1時，粉體電阻小于0。 5Ω。

　　用涂層方法對滌綸面料進行納米級ATO抗靜電劑的抗靜電功能整理，可以改善織物表面的性能。 陳雪花等在實驗中發現:采用二步刮涂法可使滌綸面料具有持久的抗靜電性能(耐洗性達50次) 。 SEM分析結果表明:只有當ATO 粒子暴露在膜的表面時，才能發揮抗靜電性能;當ATO粒子以部分湮沒于膜內，部分顯露在膜表面的形式存在于涂層中時，涂膜的抗靜電性能才能持久。納米無機粉體改性纖維材料正逐步成為纖維材料改性的一個重要發展方向。 目前，納米粉體改性纖維主要集中在將納米TiO2 ， ZnO 共混加入PET， PP， PAN紡絲原液，或對纖維整理后賦予纖維抗菌、除臭、抗靜電等功能方面。 采用直接共混的方法，納米粒子極易團聚，纖維可紡性差，紡絲時噴絲孔易堵塞，纖維強度明顯下降;采用纖維后整理法，纖維手感不好，不耐洗滌。 針對以上問題，采用高導電率的納米粉體ATO( SnO2·Sb2O3 )為抗靜電劑，從不同類型的分散劑中篩選出聚乙烯亞胺( PEI) ，將納米ATO穩定均勻地分散于去離子水中，并首次將該懸浮液作為聚丙烯腈纖維紡絲過程的預熱浴，以改善PAN纖維的抗靜電性。 同時，還保持了纖維原有的力學性能和染色性能 。

導電納米TCO復合粉體
　　納米結構的引入對于提高透明導電氧化物材料( Transparent Conductive Oxides， TCOs)的性能具有十分重要的意義，其中Sb摻雜SnO2 ，由于其具有優良的機械、化學、熱穩定性而得到更多的關注。 ATO可用作智能窗、顯示器件的透明電極、太陽能電池、鋰電池的陰極材料、超細(微)過濾膜材料、顯示器件的3防材料、抗靜電材料，重度摻雜的ATO在電致變色、烯烴的選擇性催化、核燃料廢物的分離等方面應用廣泛。 但是，降低ATO粉體的粒度，提高其比表面積及分散性能是很有必要的。

　　中國科學院上海硅酸鹽研究所以Sn 粉和Sb I3 為主要原料，在120～170 ℃水熱條件下合成了具有導電能力的Sb摻雜SnO2 (ATO)透明導電納米粉體 。 結果表明，所合成的納米ATO粉體均為四方錫石結構，無其他雜相存在，晶粒大小為4～7 nm，粉體呈單分散狀態，粉體比表面積為137～182 m2 g- 1 ，隨水熱溫度的升高，晶粒長大，比表面積下降，粉體導電性能提高。 該方法對于其他透明導電氧化物納米粉體的合成具有借鑒意義。

　　目前廣泛使用的抗靜電劑多以季銨鹽類、丙烯酸酯類、咪唑啉等有機物質為主要成分配制的整理劑。 這一類整理劑短期效果較好，但耐洗性較差，而且在干燥地區，有機抗靜電劑的抗靜電效果大大下降。 為解決以上問題，納米技術被引入其中，目前已經制備出一些新型的納米抗靜電織物整理劑，大大降低了織物表面電阻。

導電納米銀粉　　
　　納米銀粒是在水遞質中加入分散劑，結合機械力，通過化學反應生成固體銀分散制成。 用性能良好的水性聚氨酯作為粘合劑，使銀粒子覆固于織物纖維表面，產生較好的抗靜電性能及粘合牢度。 由于納米級銀粒子很小，與金屬鍍層相比，可使織物整理加工后的手感和色旋光性能更為優異。

　　導電納米氧化鋁復合粉Al2O3 是應用廣泛的結構陶瓷材料之一，近來對TiN顆粒增強Al2O3 復合材料的研究引起了人們極大的興趣。 TiN是一種新型材料，具有硬度高(顯微硬度為21 GPa) 、熔點高(2 950 ℃) 、化學穩定性好的特點，是一種很好的耐熔耐磨材料。

　　氮化鈦還具有良好的導電性(室溫電阻為3。 34 ×10- 7 Ω·cm) ，可用作熔鹽電解的電極和電觸頭等導電材料。

　　中國科學院上海硅酸鹽研究所以納米TiN和α2Al2O3 粉體為原料，采用球磨混合法制備了納米TiN2Al2O3 復合粉體，通過熱壓燒結得到致密燒結體，并對納米TiN顆粒影響Al2O3 材料力學性能和導電性能進行了研究。 實驗表明:在Al2O3基體中加入15 vol TiN納米顆粒時，Al2O3 材料的彎曲強度和斷裂韌性分別從370 MPa和3。 4 MPa·m1 /2提高到690 MPa 和5。 1 MPa ·m1 /2。 隨著TiN添加量的增加，復合材料的電阻率逐漸降低，在25 vol時達到低值(5 ×10- 3Ω·cm)。

導電納米Cu I粉
　　以導電粉體作為填料制備的導電或防靜電材料，在儀器、儀表、塑料、橡膠等工業中是必不可少的材料。 宋森等在非水溶劑中以CuSO4 和KI為反應試劑制備了球形納米導電Cu I粉體，采用正交試驗設計方法，結合SEM分析，研究了反應溫度、反應試劑濃度、滴加速度、攪拌速度、表面處理劑種類以及含量等因素對納米Cu I結晶形態和粒徑的影響，得出了合成球形納米級Cu I的優化條件 。 另外，通過與市售產品對比，分析了產物的結晶性能和導電性能，表明導電納米Cu I粉具有很好的分散性。